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Cu2ZnSnS4納米片的兩步法制備及其光學性能

編號:CPJS05188

篇名:Cu2ZnSnS4納米片的兩步法制備及其光學性能

作者:毛永強[1] ;胡美娜[1] ;李娜[1] ;李博君[2] ;毛晶[2]

關(guān)鍵詞:Cu2ZnSnS4 納米片 光學性能 禁帶寬度 形成機理

機構(gòu): [1]遼寧工程技術(shù)大學理學院,阜新123000; [2]天津大學材料科學與工程學院,天津市材料復(fù)合與功能化重點實驗室,天津300072

摘要: 先后利用化學氣相沉積法和液相離子交換法,在FTO導電玻璃基底上兩步法制備Cu2ZnSnS4(CZTS)納米片,并通過X射線衍射儀(XRD)、拉曼光譜儀(Raman)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、X射線能譜(EDS)和紫外.可見吸收光譜儀(UV—vis)等表征手段對所得樣品的物相結(jié)構(gòu)、微觀形貌、化學組分及光學性能進行測試分析。研究結(jié)果表明,所得樣品為四方晶型CZTS納米片,對可見光具有良好的全波段吸收,經(jīng)計算其禁帶寬度約1.51eV。此外,對CZTS納米片的形成機理進行初步探討。

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