編號(hào)：CPJS05236
篇名：有機(jī)材料NPB納米點(diǎn)陣列的制備及其場(chǎng)發(fā)射性能
作者：徐春龍[1] ;王真[1] ;左亞路[2] ;席力[2] ;石國(guó)杰[1]
關(guān)鍵詞：NPB 熱蒸發(fā)法 納米點(diǎn)陣列 場(chǎng)發(fā)射
機(jī)構(gòu)： [1]長(zhǎng)安大學(xué)理學(xué)院,陜西西安710064; [2]蘭州大學(xué)磁學(xué)與磁性材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,甘肅蘭州730000
摘要： 通過真空熱蒸發(fā)法制備了N,N′-二苯基-N,N′-（1-萘基）-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺（N,N′-Di-[（1-naphthalenyl）-N,N′-diphenyl]-1,1′-biphenyl）-4,4′-diamine;NPB）納米點(diǎn)陣列。通過AFM和SEM對(duì)其形貌進(jìn)行了表征。在高真空下,利用循環(huán)測(cè)試法測(cè)量了樣品的場(chǎng)發(fā)射性能,其開啟電場(chǎng)和閾值電場(chǎng)值分別為4.5和15V/μm,最大電流密度可達(dá)1.68mA/cm2。同時(shí),隨著測(cè)試電場(chǎng)循環(huán)升高降低,相應(yīng)的電流密度曲線出現(xiàn)了明顯的滯后,這主要是由于在高真空下樣品表面小分子氣體的吸附/去吸附效應(yīng)導(dǎo)致樣品的功函數(shù)發(fā)生變化。長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試結(jié)果表明,NPB納米點(diǎn)陣列的場(chǎng)發(fā)射性能表現(xiàn)出了良好的穩(wěn)定性。
