編號(hào)：CPJS05254
篇名：CdSe納米棒陣列的制備及其光電化學(xué)性能
作者：田樂成[1] ;楊海濱[2] ;李云輝[1] ;紹晶[1] ;孫晶[1] ;董群[1] ;凌宏志[1] ;王碩[3] ;溫祖旺[3] ;張?chǎng)蝃1] ;丁娟[4]
關(guān)鍵詞：CdSe納米棒 電化學(xué)沉積 光電化學(xué)性能
機(jī)構(gòu)： [1]長(zhǎng)春理工大學(xué)化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院,長(zhǎng)春130022; [2]吉林大學(xué)超硬材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,長(zhǎng)春130012; [3]長(zhǎng)春理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,長(zhǎng)春130022; [4]吉林大學(xué)珠海學(xué)院公共
摘要： 在室溫條件下,用電化學(xué)沉積方法在銦錫氧化物（ITO）基底表面生長(zhǎng)CdSe納米棒陣列,并利用X射線衍射（XRD）、能量色散X射線（EDX）、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FESEM）和紫外-可見吸收光譜（UV-Vis）表征CdSe納米棒陣列的晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌,考察其光電化學(xué)性能;在標(biāo)準(zhǔn)三電極體系下,測(cè)試CdSe納米棒陣列電極的光電化學(xué)性能.結(jié)果表明：樣品沿[001]方向擇優(yōu)生長(zhǎng),并具有明顯的光響應(yīng)特性;在光強(qiáng)為100 mW/cm^2的模擬太陽(yáng)光照射下,該電極光電流密度J_sc=2.93 mA/cm2,開路電壓V_oc=1.16 V,填充因子FF=0.278,該電池的光電轉(zhuǎn)化效率η=0.947%.
