編號(hào)：NMJS06175
篇名：微錐陣列對(duì)碳納米管薄膜強(qiáng)流脈沖發(fā)射的影響
作者：麻華麗[1] ;霍海波[1] ;曾凡光[1] ;向飛[2] ;王淦平[2]
關(guān)鍵詞：碳納米管 強(qiáng)流脈沖發(fā)射 微錐陣列 單元尺寸 電場(chǎng)模擬
機(jī)構(gòu)： [1]鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院理學(xué)院,鄭州450015; [2]中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所,高功率微波技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,綿陽621900
摘要： 采用酞菁鐵高溫?zé)峤夥椒?以化學(xué)鍍銅層為緩沖層,在具有微錐結(jié)構(gòu)陣列的硅基底上制備了CNTs薄膜,并采用二極結(jié)構(gòu),在20 GW脈沖功率源系統(tǒng)中對(duì)其強(qiáng)流脈沖發(fā)射特性進(jìn)行了測(cè)試。結(jié)果表明：在相同的峰值電場(chǎng)下,CNT薄膜的發(fā)射電流峰值隨基底微結(jié)構(gòu)單元尺寸的減小而增大,且當(dāng)脈沖電場(chǎng)的峰值增加時(shí),CNT薄膜的發(fā)射電流的峰值增長(zhǎng)速度隨基底微結(jié)構(gòu)單元尺寸的減小而增大。結(jié)合利用有限元分析軟件ANSYS模擬計(jì)算的微錐陣列結(jié)構(gòu)上表面的電場(chǎng)分布,研究了不同單元尺寸的微錐陣列對(duì)碳納米管薄膜強(qiáng)流脈沖發(fā)射能力的影響。
