編號：CPJS05305
篇名：TiO_2一維納米陣列電極表面氧氣泡發(fā)展規(guī)律研究
作者：曹振山 ;胡曉瑋 ;郭烈錦 ;王曄春
關鍵詞：納米陣列 光電極 氧氣泡 生長時間 脫離直徑
機構(gòu)： 西安交通大學動力工程多相流國家重點實驗室,西安710049
摘要： 光電化學分解水反應驅(qū)動的氧氣泡生長,是發(fā)生在固液表面典型的物理化學過程。本文通過搭建的光電化學分解水反應體系,利用顯微拍攝系統(tǒng),探究了氧氣泡在光電極表面的發(fā)展規(guī)律,結(jié)果表明氣泡大小與生長時間遵循關系;并通過改變反應溶液的濃度和激發(fā)光源的光照強度,總結(jié)了溶液濃度和光照強度對氣泡的生長時間與脫離直徑的影響規(guī)律。
