編號：NMJS06227
篇名：基于宏觀金屬輔助化學(xué)刻蝕制備硅納米線的研究（英文）
作者：劉琳[1,2] ;李志勝[1] ;胡慧東[1] ;宋維力[3]
關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體 微結(jié)構(gòu) 電化學(xué) 硅納米線 金屬刻蝕
機(jī)構(gòu)： [1]華北電力大學(xué)可再生能源學(xué)院新能源電力系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京102206; [2]北京師范大學(xué)能量轉(zhuǎn)換與存儲材料北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100875; [3]北京科技大學(xué)新材料技術(shù)研究院,北京10
摘要： 分別利用鍍銀的硅襯底和鉑絲電極作為原電池反應(yīng)中的陰極和陽極,基于金屬輔助化學(xué)刻蝕采用宏觀原電池的方法制備硅納米線,深入研究了該法制備硅納米線陣列的機(jī)理。通過改變電連接、鍍銀、刻蝕參數(shù)、硅襯底和光照等實(shí)驗(yàn)條件,系統(tǒng)地研究了所得硅納米線形貌與其對應(yīng)短路電流的關(guān)系,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)短路電流與硅納米線長度有一定的對應(yīng)關(guān)系。文章中所提出的模型旨在從根本上解決金屬輔助化學(xué)刻蝕制備硅納米線的機(jī)理。最后對這種方法所具有的潛在應(yīng)用價值進(jìn)行了展望和討論。
