編號：CPJS05444
篇名：P摻雜單壁硅納米管Mg原子吸附性能的第一性原理研究
作者：周爽 ;劉貴立 ;姜艷 ;宋媛媛
關(guān)鍵詞： 密度泛函理論 單壁硅納米管 P摻雜 Mg原子吸附
機構(gòu)： 沈陽工業(yè)大學(xué)建筑與土木工程學(xué)院,沈陽110870
摘要： 采用密度泛函理論的廣義梯度近似和平面波贗勢方法,研究P摻雜單壁硅納米管對Mg原子的吸附性能.計算本征、摻雜P、施加形變作用（壓縮和拉伸）的（6,6）硅納米管外壁對Mg原子的吸附能,分析摻雜P前后的成鍵情況及電荷布局數(shù).結(jié)果表明,摻雜P使體系形成Mg-P和Si-P間的離子性鍵,增強了Si-Si間的離子性鍵,P摻雜硅納米管超晶格中離子鍵與共價鍵共存;摻雜P后顯著提高了硅納米管外壁對Mg原子的吸附能力;硅納米管外壁對Mg原子的吸附能在0.25%,0.50%,1.00%,1.25%的壓縮量和1.00%,1.25%的拉伸量時增大,可顯著增強硅納米管材料作為增強相時與基體界面間結(jié)合的粘附性.
