編號：CPJS05484
篇名：β-Ga2O3納米線的制備及其催化性能
作者：郝寧華 ;安躍華 ;唐為華 ;王四海
關(guān)鍵詞： β-Ga2O3納米線 光催化氧化 降解率 亞甲基藍(lán)
機(jī)構(gòu)： 北京郵電大學(xué)理學(xué)院光電材料與器件實驗室
摘要： 使用磁控濺射方法制備了β-Ga2O3納米線,并研究了催化性能.制備的樣品具有很好的結(jié)晶度,衍射峰位對應(yīng)β相Ga2O3.β-Ga2O3納米線形貌為圓錐狀,表面粗糙.226nm左右有明顯的Ga2O3吸收峰,同時在512nm左右也有明顯的催化劑Au的吸收峰.稱取0.35mg的β-Ga2O3納米線樣品,加入300mL濃度為10-5 mol/L的亞甲基藍(lán)溶液中,反應(yīng)2h,降解率達(dá)到76.7%.
