編號(hào)：CPJS05809
篇名：稀土Er^3＋/Yb^3＋摻雜對(duì)多孔硅結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光性能的影響
作者：張春玲[1] ;唐蕾[2] ;張會(huì)平[1] ;姚江宏[1]
關(guān)鍵詞： 多孔硅 電化學(xué) 稀土摻雜 熒光光譜 X射線衍射
機(jī)構(gòu)： [1]南開(kāi)大學(xué)物理科學(xué)學(xué)院,天津300071; [2]武警后勤學(xué)院電子電工教研室,天津300309
摘要： 利用雙槽電化學(xué)腐蝕方法制備多孔硅,并用電化學(xué)摻雜方法對(duì)多孔硅進(jìn)行稀土元素Er^3＋/Yb^3＋ 摻雜.利用掃描電鏡和X 射線衍射光譜分析所制備樣品的結(jié)構(gòu)和成分;通過(guò)對(duì)比摻雜前后以及退火前后熒光光譜的變化,分析能級(jí)變化情況和能量傳遞過(guò)程,認(rèn)為可見(jiàn)光區(qū)的綠光源于SiOx （1〈x 〈2）氧化層中的Si-O 鍵,可見(jiàn)光區(qū)的紅光和近紅外區(qū)域的發(fā)光,源于Er^3＋ 和Yb^3＋ 離子之間交叉弛豫或者選擇性躍遷.
