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石墨烯的制備、表征及其在透明導(dǎo)電膜中的應(yīng)用

編號(hào):CPJS05854

篇名:石墨烯的制備、表征及其在透明導(dǎo)電膜中的應(yīng)用

作者:朱杰君; 孫海斌; 吳耀政; 萬建國; 王廣厚;

關(guān)鍵詞: 石墨烯 銀納米線 透明導(dǎo)電膜 方塊電阻 透光率

機(jī)構(gòu): 南京大學(xué)物理系,固體微結(jié)構(gòu)物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 南京工業(yè)大學(xué)應(yīng)用物理系; 信陽師范學(xué)院物理電子工程系,先進(jìn)微納功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

摘要: 近年來,石墨烯因其優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)等特性,越來越受到人們的廣泛關(guān)注。研究人員應(yīng)用多種方法來合成石墨烯并且探討其潛在的應(yīng)用價(jià)值。本文首先簡要介紹了石墨烯的結(jié)構(gòu)及其基本的物理性質(zhì),并簡單回顧了石墨烯的合成方法和表征手段。在此基礎(chǔ)上,討論了石墨烯/銀復(fù)合薄膜在透明導(dǎo)電膜中的應(yīng)用,并詳細(xì)介紹了我們在該領(lǐng)域的研究成果。用化學(xué)氣相沉積法(CVD)和多羥基法分別制備了雙層石墨烯及銀納米線,成功合成了石墨烯/銀復(fù)合薄膜,結(jié)果表明復(fù)合薄膜的方塊電阻可降低至26Ω?□-1,展示了其在光電器件上廣泛的應(yīng)用前景。

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