編號(hào)：NMJS06702
篇名：銅箔表面化學(xué)氣相沉積少層石墨烯
作者：宋瑞利 劉平 張柯 劉新寬 陳小紅 李偉 馬鳳倉(cāng) 何代華
關(guān)鍵詞： 石墨烯 銅箔 化學(xué)氣相沉積法 鹽酸 生長(zhǎng)時(shí)間
機(jī)構(gòu)： 上海理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院 上海理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 利用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）,在金屬基底上生長(zhǎng)大面積、少層數(shù)和高質(zhì)量的石墨烯是近年來(lái)研究的熱點(diǎn)。本研究采用CVD法,在常壓高溫條件下,以氬氣為載體、氫氣為還原氣體、乙烯為碳源,在銅箔表面生長(zhǎng)石墨烯。通過(guò)掃描電子顯微圖（SEM）、X射線衍射儀（XRD）和拉曼圖譜（Raman）分析,發(fā)現(xiàn)銅箔表面質(zhì)量和石墨烯的生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)石墨烯的層數(shù)和缺陷有較大影響。用20%的鹽酸去除銅箔表面的保護(hù)膜和Cu_2O等雜質(zhì),銅箔在1000℃下退火60min可以使銅箔晶粒尺寸增大以及改善銅箔表面的形貌。研究發(fā)現(xiàn)生長(zhǎng)時(shí)間為60s和90s時(shí),制備的石墨烯薄膜對(duì)稱性良好且層數(shù)較少。其中,生長(zhǎng)時(shí)間為90s時(shí),拉曼表征石墨烯的I_D/I_G值為0.7,表明其缺陷比較少。
