編號：FTJS07032
篇名：3D石墨烯修飾的猛殺威分子印跡電化學(xué)傳感器的制備
作者：陳曉 譚學(xué)才 嚴(yán)軍 吳葉宇 李曉宇 張慧 陳全友 馮德芬 金應(yīng)鑫
關(guān)鍵詞： 猛殺威 三維石墨烯 分子印跡電化學(xué)傳感器
機構(gòu)： 廣西民族大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院
摘要： 以猛殺威為模板分子、丙烯酰胺（AM）為功能單體、馬來松香丙烯酸乙二醇酯（EGMRA）為交聯(lián)劑、自制的3D石墨烯（3D-rGO）為增敏材料,在玻碳電極表面合成分子印跡聚合物,制備檢測猛殺威的分子印跡電化學(xué)傳感器。運用掃描電鏡（SEM）對自制3D石墨烯的形貌進(jìn)行了表征,通過循環(huán)伏安法（CV）、差分脈沖伏安法（DPV）和交流阻抗法（EIS）對猛殺威傳感器的性能進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,猛殺威的濃度在8.0×10^-8~8.0×10^-6mol/L范圍內(nèi)與響應(yīng)電流值呈良好的線性關(guān)系,線性相關(guān)系數(shù)R=0.9954,檢出限為7.3×10^-8mol/L（S/N=3）,猛殺威分子印跡敏感膜的印跡因子β=3.88,且相對于3種結(jié)構(gòu)類似物的選擇因子α〉〉1,說明此傳感器具有良好的選擇性。將此傳感器應(yīng)用于生菜樣品檢測,加標(biāo)回收率在96.7%~98.7%之間。
