編號：NMJS06814
篇名：溫度對硅襯底上生長石墨烯的影響
作者：劉慶彬 蔚翠 何澤召 王晶晶 李佳 蘆偉立 馮志紅
關鍵詞： 石墨烯 硅襯底 化學氣相沉積(CVD)法 生長溫度 生長機理
機構： 中國電子科技集團公司第十三研究所 中國電子科技集團公司第十三研究所專用集成電路重點實驗室
摘要： 通過化學氣相沉積（CVD）法在Si襯底上制備石墨烯薄膜,研究了生長溫度對薄膜的影響以及石墨烯生長機理。采用傅里葉變換紅外光譜（FTIR）、喇曼光譜、光學顯微鏡（OM）、原子力顯微鏡（AFM）、掃描電子顯微鏡（SEM）和X射線光電子譜（XPS）表征石墨烯材料。結果表明,生長溫度越高,越有利于Si襯底上石墨烯薄膜的形成和連續(xù)。生長過程中,C原子滲入Si襯底表層,在其表面優(yōu)先形成3C-SiC緩沖層,隨后在緩沖層表面重構形成石墨烯。在Si襯底上沉積SiO_2和Si_3N_4覆蓋層,發(fā)現(xiàn)生長過程中不再出現(xiàn)3C-SiC緩沖層。隨著生長溫度的增加,石墨烯薄膜缺陷降低,薄膜與襯底之間為范德華力。生長溫度1 100℃下結晶質(zhì)量最好。
