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共沉淀法制備Ce、Pr共摻雜GAGG粉體及發(fā)光特性

編號:FTJS07137

篇名:共沉淀法制備Ce、Pr共摻雜GAGG粉體及發(fā)光特性

作者:孫麗娜 趙木森 譚俊 董再蒸 巴德純

關鍵詞: 釓鎵鋁基石榴石 納米粉體 共摻雜 發(fā)射光譜 衰減時間

機構: 東北大學機械工程與自動化學院 東北大學新材料技術研究院

摘要: 用化學共沉淀法一次煅燒工藝制備Ce,Pr∶GAGG粉體,利用XRD、SEM、熒光光譜儀等對樣品表面形貌及發(fā)光性能進行表征,研究煅燒溫度、沉淀劑引入草酸根對粉體發(fā)光性能的影響。結果表明,前驅體經(jīng)950℃煅燒3h后全部轉變?yōu)镚AGG相,Pr^3+、Ce^3+共摻未改變基質的物相結構;沉淀劑引入草酸銨后,粉體發(fā)射光譜積分強度由333573a.u上升至420894a.u,沉淀劑引入草酸根能提高粉體的發(fā)光性能。熒光壽命測試表明,在Ce∶GAGG中摻入Pr^3+可使Ce^3+的熒光壽命降低,衰減時間為35.43ns。

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