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硅納米結(jié)構(gòu)晶體管中與雜質(zhì)量子點(diǎn)相關(guān)的量子輸運(yùn)

編號(hào):CPJS06349

篇名:硅納米結(jié)構(gòu)晶體管中與雜質(zhì)量子點(diǎn)相關(guān)的量子輸運(yùn)

作者:吳歆宇 韓偉華 楊富華

關(guān)鍵詞: 硅納米結(jié)構(gòu)晶體管 雜質(zhì)原子 量子輸運(yùn) 工作溫度

機(jī)構(gòu): 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)

摘要: 在小于10 nm的溝道空間中,雜質(zhì)數(shù)目和雜質(zhì)波動(dòng)范圍變得十分有限,這對(duì)器件性能有很大的影響.局域納米空間中的電離雜質(zhì)還能夠展現(xiàn)出量子點(diǎn)特性,為電荷輸運(yùn)提供兩個(gè)分立的雜質(zhì)能級(jí).利用雜質(zhì)原子作為量子輸運(yùn)構(gòu)件的硅納米結(jié)構(gòu)晶體管有望成為未來(lái)量子計(jì)算電路的基本組成器件.本文結(jié)合安德森定域化理論和Hubbard帶模型對(duì)單個(gè)、分立和耦合雜質(zhì)原子系統(tǒng)中的量子輸運(yùn)特性進(jìn)行了綜述,系統(tǒng)介紹了提升雜質(zhì)原子晶體管工作溫度的方法.

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