編號：CPJS06576
篇名：石墨烯改性PDC-SiCNO陶瓷的制備及其介電性能
作者：余煜璽 夏范森 黃奇凡
關(guān)鍵詞： 聚合物先驅(qū)體陶瓷 石墨烯 電學(xué)性能 制備
機(jī)構(gòu)： 廈門大學(xué)材料學(xué)院材料科學(xué)與工程系福建省特種先進(jìn)材料重點實驗室
摘要： 以聚乙烯基硅氮烷(PVSZ)為原料,氧化石墨烯(GO)為碳源,無水乙醇(ETOH)為分散劑,制備石墨烯球增強(qiáng)SiCNO陶瓷(SiCNO-GO)。利用拉曼光譜(Raman)、電子自旋共振(EPR)和掃描電子顯微鏡(SEM)等表征手段,研究SiCNO-GO陶瓷結(jié)構(gòu)對其介電性能的影響。結(jié)果表明:SiCNO-GO陶瓷的微球密度和粒徑的大小與GO的含量有關(guān);隨著SiCNO-GO陶瓷中GO含量的增加,SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗也隨之增大,在GO含量為0.1%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時達(dá)到最大值,而當(dāng)GO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.3%時,SiCNO-GO陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗降低。
