編號：NMJS07176
篇名：沉積溫度對Ni輔助合成石墨烯質(zhì)量的影響
作者：于成磊 王偉 段賽賽 于龍宇 劉孟杰
關(guān)鍵詞： 石墨烯 沉積溫度 等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD) 犧牲層Ni 圖形化
機構(gòu)： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院 天津市電子材料與器件重點實驗室
摘要： 研究了不同沉積溫度下借助犧牲層Ni合成石墨烯的質(zhì)量。在氧化銦錫(ITO)玻璃表面先后蒸鍍了厚度分別為120 nm的Ta2O5和50 nm的圖形化Ni,采用低溫(500,600和700℃)下的等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)在Ni和絕緣層Ta2O5的界面處獲得了大面積的圖形化石墨烯薄膜。去除Ni后,將圖形化的石墨烯保留在絕緣襯底上,采用原子力顯微鏡(AFM)和喇曼光譜對3種不同沉積溫度下合成的石墨烯薄膜的表面形貌和質(zhì)量進行了表征,研究了沉積溫度對Ni輔助合成石墨烯表面形貌和導(dǎo)電性能的影響。結(jié)果表明,借助圖形化犧牲層Ni能夠在絕緣襯底Ta2O5上直接合成圖形化的石墨烯,沉積溫度對石墨烯的表面形貌和質(zhì)量有很大影響,沉積溫度在600℃時,制備的石墨烯具有較高的質(zhì)量和良好的導(dǎo)電性能。
