編號(hào)：NMJS07211
篇名：平面微型超級(jí)電容器石墨烯電極制備與表征
作者：張光宇 尹雁 趙鵬飛 劉琳婧 李闖 呂胤霖 陳玉娟 朱大福 楊昕瑞
關(guān)鍵詞： 石墨烯 化學(xué)氣相沉積 平面微型超級(jí)電容器
機(jī)構(gòu)： 哈爾濱理工大學(xué)應(yīng)用科學(xué)學(xué)院
摘要： 為了研究化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備石墨烯電極性能,通過(guò)對(duì)CVD工藝參數(shù)的改進(jìn),成功地制備出了符合全固態(tài)平面微型超級(jí)電容器離子傳輸機(jī)制所需要的石墨烯薄膜電極。對(duì)比相同生長(zhǎng)時(shí)間,不同甲烷濃度的石墨烯薄膜的性能;對(duì)比相同甲烷濃度,不同生長(zhǎng)時(shí)間的石墨烯薄膜性能。結(jié)果表明,溫度1000℃、甲烷流量35sccm、氫氣流量10sccm、生長(zhǎng)時(shí)間60min時(shí),制備出的石墨烯薄膜質(zhì)量和性能最好。此時(shí)石墨烯薄膜具有較低的薄膜方阻(60.28Ω/sq-155.75Ω/sq),厚度為1.25nm。為平面微型超級(jí)電容器的進(jìn)一步研究提供了重要參考。
