編號：CPJS06668
篇名：石墨表面化學(xué)沉積碳化硅膜及膜層質(zhì)量分析
作者：胡傳奇 黃小婷 劉海林 霍艷麗 楊泰生 唐婕 陳玉峰
關(guān)鍵詞： 石墨基體 化學(xué)氣相沉積 碳化硅膜 膜層質(zhì)量 分析
機構(gòu)： 中國建筑材料科學(xué)研究總院有限公司
摘要： 采用一甲基三氯硅烷(CH3SiCl3,MTS)和高純氫氣(H2)為原料,通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD)在石墨基體表面沉積了一層碳化硅(SiC)膜。采用掃描電子顯微鏡(SEM)和能譜分析(EDS)對膜層斷面的顯微結(jié)構(gòu)和元素組成進行了觀察和分析,采用金相顯微鏡和表面粗糙度輪廓儀對膜層的表面微觀形貌和表面粗糙度進行了觀察和測試,采用排水法對膜層密度進行了測試。結(jié)果表明,采用密度1.88g/cm^3、三點抗彎強度為79.30MPa的高致密度、高強度石墨作為基體材料時,在優(yōu)化的CVD工藝條件下制備的SiC膜層密度為3.193g/cm^3,氣孔率為0.50%,膜層表面粗糙度Ra=1.0157μm。
