編號：CPJS06961
篇名：石墨烯導電柔性襯底上生長硼摻雜ZnO納米球及其光電性能的研究
作者：任帥 容萍 姜立運 李亞鵬 于琦
關鍵詞： 石墨烯 ZnO PET-ITO 硼摻雜 光電器件
機構： 陜西理工大學材料科學與工程學院陜西省催化基礎與應用重點實驗室石墨烯研究所 陜西理工大學物理與電信工程學院
摘要： 以石墨烯柔性襯底(GPET)為基底,硼酸、六次甲基四胺和六水硝酸鋅為摻雜劑,采用低溫(95℃)水熱法合成硼摻雜石墨烯/氧化鋅薄膜復合材料(B-ZnO/GPET)。通過X射線衍射儀(XRD),掃描電子顯微鏡(SEM),光致發(fā)光光譜(PL),伏安特征曲線(I-V)等進行表征,分析B-ZnO/GPET的生長機理,通過改變硼酸的摻雜濃度,研究B-ZnO/GPET的形貌差異。實驗結果顯示,水熱法能夠成功的將B元素摻入B-ZnO/GPET的晶格中。硼酸的摻雜濃度決定了B-ZnO/GPET的結晶質量。隨著硼酸濃度的增加,ZnO的結晶質量明顯改善,并呈現(xiàn)ZnO納米球狀,比表面積增加到了26.4 m~2/g高于純ZnO的10.32 m~2/g,晶粒尺寸也相應增大。B-ZnO/GPET顯著提高了良好循環(huán)下的光電性能,在光電器件領域擁有良好的前景。
