編號：CYYJ01694
篇名：電化學陽極氧化處理對超納米金剛石/多層石墨烯復合薄膜電容性能的影響
作者：胡冬玲 王兵
關(guān)鍵詞： 陽極氧化 表面改性 MPCVD UNCD/MLG薄膜
機構(gòu)： 西南科技大學材料科學與工程學院 西南科技大學環(huán)境友好能源材料國家重點實驗室
摘要： 為解決表面疏水導致的超納米金剛石/多層石墨烯復合薄膜(UNCD/MLG)電容性能差的問題,通過電化學陽極氧化工藝對微波等離子化學氣相沉積的UNCD/MLG薄膜進行表面處理以改善其相應性能。采用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)對處理前后薄膜的表面微觀形貌進行對照分析,并用拉曼光譜(Raman)、光電子能譜(XPS)和靜態(tài)接觸角(Contact angle)表征其表面微觀狀態(tài),用循環(huán)伏安法(CV)和恒流充放電法(GCD)比較分析處理前后薄膜的電容性能。結(jié)果表明,與原始薄膜相比,處理后的薄膜由超疏水性變?yōu)橛H水性,且其電容值最大提高約115倍,表明電化學陽極氧化處理可以有效地對UNCD/MLG薄膜進行表面改性,大幅提升其電容性能。
