CO和CO_2分子在缺陷石墨納米帶上的吸附研究

編號：FTJS00890

篇名：CO和CO_2分子在缺陷石墨納米帶上的吸附研究

作者：彭盛霖; 歐陽方平;

關(guān)鍵詞：石墨納米帶; 555-777雙空位缺陷; 電子結(jié)構(gòu); 吸附;

機(jī)構(gòu)：

摘要： 采用第一性原理密度泛函方法,研究了雙空位缺陷石墨納米帶(GNRs)的幾何和電子結(jié)構(gòu),并探討了CO和CO_2分子在完整和缺陷帶上的吸附行為。研究結(jié)果表明,(1)從能量上看,石墨納米帶中的555-777雙空位缺陷比585雙空位缺陷更趨穩(wěn)定;(2)通過分析能帶結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)555-777雙空位缺陷的引入未對納米帶的電子結(jié)構(gòu)造成很大的影響;(3)同完整納米帶比較,CO分子更易吸附在缺陷帶上,而CO_2分子在完整和缺陷帶上都無法吸附。因此,缺陷石墨納米帶有可能用來設(shè)計(jì)氣體傳感器。