編號(hào)：NMJS00365
篇名：硅納米孔柱陣列上低溫?zé)o催化劑生長(zhǎng)碳納米管
作者：楊保河; 姜衛(wèi)粉;
關(guān)鍵詞：碳納米管; 硅納米孔柱陣列; 化學(xué)氣相沉積; 合成;
機(jī)構(gòu)： 鄭州師范學(xué)院物理系; 華北水利水電學(xué)院數(shù)學(xué)與信息科學(xué)學(xué)院;
摘要： 采用化學(xué)氣相沉積的方法在硅納米孔柱陣列襯底上無(wú)催化劑生長(zhǎng)出碳納米管.分別在新制備的和制備后再在常溫下自然氧化一周的硅納米孔柱陣列襯底上進(jìn)行無(wú)催化劑生長(zhǎng)碳納米管,結(jié)果發(fā)現(xiàn)新制備的硅納米孔柱陣列表面沒(méi)有碳納米管長(zhǎng)出,而自然氧化一周的硅納米孔柱陣列表面有大量的碳納米管出現(xiàn).從硅納米孔柱陣列的結(jié)構(gòu)及表面氧化程度的不同加以分析,提出了無(wú)催化劑生長(zhǎng)碳納米管的生長(zhǎng)機(jī)理,為在無(wú)金屬催化劑條件下生長(zhǎng)碳納米管提供了一種新的方法.
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