退火對(duì)B摻雜納米金剛石薄膜微結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能的影響

編號(hào)：NMJS00374

篇名：退火對(duì)B摻雜納米金剛石薄膜微結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能的影響

作者：潘金平; 胡曉君; 陸利平; 印遲;

關(guān)鍵詞：B摻雜納米金剛石薄膜; 微結(jié)構(gòu); 電化學(xué)性能;

機(jī)構(gòu)： 浙江工業(yè)大學(xué)化學(xué)工程與材料學(xué)院;

摘要： 采用熱絲化學(xué)氣相沉積法制備B摻雜納米金剛石薄膜,并對(duì)薄膜進(jìn)行真空退火處理,系統(tǒng)研究了不同退火溫度對(duì)B摻雜納米金剛石薄膜的微結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能的影響.結(jié)果表明,當(dāng)退火溫度升高到800℃后,薄膜的Raman譜圖中由未退火時(shí)在1157,1346,1470,1555cm-1處的4個(gè)峰轉(zhuǎn)變?yōu)橹挥蠨峰和G峰,說明晶界上的氫大量解吸附量減少;并且D峰和G峰的積分強(qiáng)度比ID/IG值變?yōu)樽钚?即sp2相團(tuán)簇?cái)?shù)量減少或尺寸變小;G峰左移,石墨相無序化程度增加;此時(shí)電極具有最寬的電勢(shì)窗口和最高的析氧電位,電極表面進(jìn)行可逆電化學(xué)反應(yīng).1000℃退火時(shí),D峰增強(qiáng),峰較尖銳,ID/IG值最大,并且石墨相有序化程度增加,電極具有最窄的電勢(shì)窗口和最低的析氧電位,電極表面進(jìn)行可逆電化學(xué)反應(yīng).不同退火溫度下,納米金剛石薄膜中sp2相團(tuán)簇?cái)?shù)量或尺寸、晶界上聚集的與氫有關(guān)的反式聚乙炔的量、石墨相的無序化程度以及B的擴(kuò)散使得薄膜的電化學(xué)性能隨退火溫度的升高呈復(fù)雜的變化。