最優(yōu)實(shí)驗(yàn)條件下碳納米管膜電極的制備

編號(hào)：NMJS00380

篇名：最優(yōu)實(shí)驗(yàn)條件下碳納米管膜電極的制備

作者：樊志琴; 張君德; 李瑞; 蔡根旺; 黃浩; 王建星; 康廣生;

關(guān)鍵詞：正交設(shè)計(jì); 碳納米管; MPCVD; 電化學(xué)性能;

機(jī)構(gòu)： 河南工業(yè)大學(xué)理學(xué)院;

摘要： 利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)方法,在附著有催化劑的石墨片襯底上原位沉積了碳納米管膜電極。通過正交設(shè)計(jì)方法綜合研究了反應(yīng)溫度、鎳膜厚度、沉積時(shí)間、甲烷流量對(duì)碳納米管膜電化學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:不同條件下制備的碳納米管膜的電化學(xué)性能有很大差異,其中起主要作用是甲烷流量和反應(yīng)溫度。保持工作壓強(qiáng)(6.5×103Pa)和氫氣的流量(100 sccm)不變,溫度為700~800℃時(shí),甲烷流量為5 sccm,N i膜厚度為150nm,生長時(shí)間為5 m in,所得碳納米管膜電極電化學(xué)性能最佳,氧化峰電流最大,達(dá)到14 nA。