鉻過渡層對納米球刻蝕法制備二維銀納米結構的影響

編號：NMJS00385

篇名：鉻過渡層對納米球刻蝕法制備二維銀納米結構的影響

作者：羅銀燕; 朱賢方;

關鍵詞：銀納米點陣; 納米球刻蝕; 鉻過渡層; 吸收光譜;

機構： 廈門大學物理系; 廈門大學中國-澳大利亞聯(lián)合功能納米材料實驗室;

摘要： 研究了鉻過渡層對納米球刻蝕法制備二維銀納米點陣結構的影響。首先利用自組裝的方法在玻璃基底上制備出單層排列的聚苯乙烯納米球陣列,然后使用物理氣相沉積的方法在二維聚苯乙烯納米球陣列上沉積一層鉻層作過渡層和銀層,最后將玻璃基底在乙醇溶液中超聲移除聚苯乙烯納米球,得到二維的銀納米點陣。實驗發(fā)現(xiàn),隨著鉻過渡層厚度的增加,制得的二維銀納米點陣陣列趨于完整,單個的銀納米顆粒由橢圓狀轉變?yōu)槿�角形形狀。實驗中測量了所得到的二維銀納米結構的吸收光譜。