編號(hào)：FTJS08132
篇名：Zn2+摻雜對(duì)共沉淀法制備Ce:Gd3Ga3Al2O12陶瓷粉體閃爍性能的影響
作者：邱智華 張鮮輝 王帥華 吳少凡 林永紅
關(guān)鍵詞： 共沉淀法 前驅(qū)粉體 Ce:GAGG陶瓷粉體 Zn2+共摻雜
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所半導(dǎo)體光電材料及其高效轉(zhuǎn)換器件協(xié)同創(chuàng)新中心 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
摘要： 利用化學(xué)共沉淀法制備Zn2+共摻的Ce:GAGG陶瓷粉體。研究了Zn2+共摻的Ce:GAGG陶瓷前驅(qū)粉體的TG/DTA和FTIR曲線;分析了不同煅燒溫度對(duì)Ce:GAGG陶瓷粉體相、形貌和顆粒度分布的影響;研究了Zn2+含量對(duì)Ce:GAGG陶瓷粉體光致發(fā)光,輻射發(fā)光,激發(fā)光譜和熒光壽命的影響。研究表明:前驅(qū)粉體在883℃的相組成為GdAlO3相和GAGG相;前驅(qū)粉體在煅燒溫度為900℃時(shí),完全轉(zhuǎn)化為GAGG相;當(dāng)煅燒溫度為1200℃時(shí),GAGG顆粒尺寸控制在20~60nm,分布均勻;隨著Zn2+含量的變化,光致發(fā)光和輻射發(fā)光強(qiáng)度也相應(yīng)變化,特別的,當(dāng)Zn2+含量為0.4 mol%時(shí),光致發(fā)光和輻射發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到最大值;隨著Zn2+摻雜含量的上升,熒光壽命出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。因此,Zn2+含量對(duì)Ce:GAGG陶瓷粉體的輻射發(fā)光具有明顯的影響,對(duì)降低熒光壽命具有積極的作用,對(duì)于提高GAGG閃爍材料的快速響應(yīng)具有重要意義。
