編號：CYYJ02231
篇名：SiO2納米顆粒表面接枝對環(huán)氧樹脂納米復合電介質表面電荷積聚的抑制
作者：王天宇 李大雨 侯易岑 張貴新
關鍵詞： 硅烷偶聯(lián)劑 二氧化硅納米顆粒 表面接枝 表面電荷 納米電介質 陷阱能級
機構： 清華大學電機工程與應用電子技術系 清華大學電力系統(tǒng)及發(fā)電設備安全控制和仿真國家重點實驗室
摘要： 為尋找一種能抑制表面電荷積聚的納米復合電介質,分別用八甲基環(huán)四硅氧烷和六甲基二硅氮烷兩種硅烷偶聯(lián)劑對SiO2納米顆粒進行表面接枝處理并摻雜到環(huán)氧樹脂中。通過傅里葉紅外光譜分析和熱重分析,研究接枝前后SiO2納米顆粒表面官能團和結構的變化;通過表面電荷積聚實驗、等溫表面電位衰減實驗和體積電阻率的測量,分別研究不同種類SiO2納米顆粒摻雜后環(huán)氧復合納米電介質的表面電荷密度分布、陷阱能級、體積電阻率等參數(shù)的變化。發(fā)現(xiàn)經(jīng)表面接枝后的環(huán)氧納米復合電介質,表面電荷積聚現(xiàn)象與純環(huán)氧相比得到了一定的抑制。分析認為SiO2納米顆粒經(jīng)過表面接枝后在環(huán)氧樹脂中引入了深陷阱,深陷阱容易捕獲電荷,限制載流子的移動從而提升了體積電阻率,體積電阻率的升高降低了絕緣子固體側體電流,從而起到了抑制表面電荷積聚的作用。
