編號：CYYJ02336
篇名：六方氮化硼在二維晶體微電子器件中的應(yīng)用與進展
作者：高渤翔 方茹 吳天如
關(guān)鍵詞： 二維(2D)材料 六方氮化硼(h-BN) 微電子器件 介電襯底 隧穿器件 存儲陣列 封裝材料
機構(gòu)： 中國科學(xué)院 中國科學(xué)院大學(xué) 中國電子科技集團公司第三十二研究所
摘要： 六方氮化硼(h-BN)因其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景而受到廣泛關(guān)注。著眼于h-BN在微電子器件領(lǐng)域中的發(fā)展與應(yīng)用,總結(jié)了近年來國內(nèi)外通過化學(xué)氣相沉積(CVD)方法實現(xiàn)hBN的高質(zhì)量、大規(guī)�？煽刂苽浼皥D形化的代表性工作。圍繞h-BN的高介電常數(shù)、原子級平滑表面、高導(dǎo)熱性和高穩(wěn)定性,重點介紹了h-BN在二維晶體介電襯底、半導(dǎo)體器件熱管理平臺以及集成電路封裝材料中應(yīng)用的研究進展,并簡述了將h-BN應(yīng)用于隧穿器件和存儲陣列的研究成果。最后,對h-BN在新型微電子器件大規(guī)模應(yīng)用的已有成果進行總結(jié),并展望了該領(lǐng)域未來的研究與發(fā)展方向。
