編號(hào)：CYYJ02443
篇名：錫摻雜CsPbBr3量子點(diǎn)的合成及其光電性能研究
作者：曾凡菊 譚永前 張小梅 尹海峰 陳威威 唐孝生
關(guān)鍵詞： 材料 錫摻雜CsPbBr3量子點(diǎn) 晶體結(jié)構(gòu) 光致發(fā)光 電致發(fā)光
機(jī)構(gòu)： 重慶大學(xué)光電工程學(xué)院 凱里學(xué)院大數(shù)據(jù)工程學(xué)院
摘要： 采用熱注入法合成了錫摻雜CsPbBr3量子點(diǎn)。透射電子顯微鏡和X射線衍射儀(XRD)的表征結(jié)果顯示,少量錫摻雜可以部分替代鉛,對(duì)量子點(diǎn)有鈍化作用,減少了量子點(diǎn)的表面缺陷,提高了量子點(diǎn)的光致發(fā)光量子效率(PLQY)。當(dāng)摻雜鉛和錫的物質(zhì)的量比為9:1時(shí),量子點(diǎn)的PLQY從未摻雜時(shí)的21.0%提高到了40.4%。隨著錫摻雜量的增加,XRD譜中出現(xiàn)了雜相,光致發(fā)光減弱,PLQY由少量錫摻雜(鉛和錫的物質(zhì)的量比為9:1)量子點(diǎn)的40.4%降低到CsPb0.6Sn0.4Br3的10.4%。少量錫摻雜的CsPb0.9Sn0.1Br3具有最強(qiáng)的光致發(fā)光和電致發(fā)光,其光致發(fā)光峰位為511 nm,PLQY為40.4%,電致發(fā)光峰位為512 nm,電致發(fā)光亮度為343.0 cd/m2,是未摻雜CsPbBr3量子點(diǎn)發(fā)光二極管亮度的2.5倍。本實(shí)驗(yàn)證明了采用少量錫摻雜CsPbBr3(CsPb0.9Sn0.1Br3)可以降低量子點(diǎn)的表面缺陷,提高量子點(diǎn)的光致發(fā)光與電致發(fā)光性能。
