編號：NMJS08127
篇名：碳化MoS2/摻硫g-C3N4異質結的合成及其在可見光下催化降解羅丹明B機理
作者：邱靈芳 馬夢帆 劉哲媛 陳建 李平 陳祥樹 喜多英敏 多樹旺
關鍵詞： 碳化MoS2 摻硫g-C3N4 半導體 異質結 可見光
機構： 江西科技師范大學表面工程重點實驗室 江西師范大學化學化工學院 山口大學大學院創(chuàng)成科學研究院
摘要： 為了進一步提高聚合物半導體類石墨相氮化碳(g-C3N4)降解有機物的活性,通過簡單的水熱法復合得到碳化MoS2/摻硫g-C3N4異質結(MoSC/S-CN),并在可見光下研究其羅丹明B(RhB)的降解性能。結果表明,相較于純g-C3N4,最優(yōu)化的MoSC/S-CN樣品對可見光的吸收范圍得到明顯拓寬,并且在100 min內對RhB的降解效率為92.5%,比純g-C3NQ性能提高68.83%。一系列的結構和光學性質表明,摻硫后再進一步與碳化MoS2耦合可以協(xié)同作用于g-C3N4,改善g-C3N4的能帶結構,加速光生電子空穴對的分離,有效提高光催化活性。
