編號：NMJS08146
篇名：沉積溫度對化學(xué)氣相沉積法制備銅薄膜性質(zhì)的影響
作者：劉莎 徐源來 趙培 李紫琪 陳志杰
關(guān)鍵詞： 雙(2 2 6 6-四甲基-3 5-庚二酮)化銅 Cu薄膜 化學(xué)氣相沉積 沉積溫度 (111)擇優(yōu)取向
機構(gòu)： 綠色化工過程教育部重點實驗室化工與制藥學(xué)院武漢工程大學(xué) 武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 以雙(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化銅(Cu(DPM)2)為前驅(qū)體,使用智能化學(xué)氣相沉積設(shè)備在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制備Cu薄膜。研究了不同沉積溫度對Cu薄膜的相組成、擇優(yōu)取向、宏觀表面、微觀結(jié)構(gòu)、元素組成及電導(dǎo)的影響。在873 K至1173 K時制備了具有(111)擇優(yōu)取向的紫銅色銅薄膜,同時存在(200)和(220)取向,且銅晶粒呈島狀生長模式。隨著沉積溫度的升高,薄膜的導(dǎo)電性先增強后減弱。在1073 K時,制得了導(dǎo)電性最好且高度(111)擇優(yōu)取向的最純紫銅色Cu薄膜,即1073 K為制備Cu薄膜的最佳沉積溫度。
