編號：FTJS09028
篇名：優(yōu)化碳質(zhì)涂層以消除高性能硅陽極的電化學界面極化
作者：齊志燕 戴麗琴 王哲帆 謝莉婧 陳景鵬 成家瑤 宋歌 李曉明 孫國華 陳成猛
關鍵詞： 硅碳復合物 晶體結(jié)構(gòu) 孔結(jié)構(gòu) 失效機制 極化
機構(gòu)： 中國科學院山西煤炭化學研究所 中國科學院大學 中國科學院大學材料科學與光電工程中心
摘要： 有序碳和無序碳都普遍被用作硅(Si)的復合材料。但是具有不同結(jié)晶度和孔結(jié)構(gòu)的碳對硅基負極電化學性能的影響仍存在爭議。本工作在嚴格控制碳含量和表面官能團的基礎上,選擇瀝青(Pitch)和酚醛樹脂(PR)作為有序碳和無序碳的前驅(qū)體,制備了硅碳復合材料(Si@C)并系統(tǒng)地研究了其電化學行為。有序的晶體結(jié)構(gòu)有利于復合物中的電子傳輸,中孔和大孔有利于鋰離子的擴散。具有有序結(jié)構(gòu)和小孔容的碳質(zhì)涂層為Si的膨脹提供了很好的緩沖,電極在50次循環(huán)后仍保持結(jié)構(gòu)完整性。然而,無序和多孔的結(jié)構(gòu)降低了結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性并產(chǎn)生了很大的極化,這使得循環(huán)過程中體積不斷膨脹,導致電化學性能較差。Si@C-Pitch在5 A g−1下的容量是Si@C-PR的8倍,在0.5 A g−1下100次循環(huán)后的容量保持率是Si@C-PR的1.9倍。該研究可為Si@C負極中炭材料的選擇提供了理論指導。
