編號：NMJS00531
篇名：鎳摻雜硅納米線電子結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)的第一性原理研究
作者：梁偉華; 丁學成; 褚立志; 鄧澤超; 郭建新; 吳轉(zhuǎn)花; 王英龍;
關(guān)鍵詞：硅納米線; 摻雜; 電子結(jié)構(gòu); 光學性質(zhì);
機構(gòu)： 河北大學物理科學與技術(shù)學院;
摘要： 利用基于密度泛函理論的第一性原理計算,對鎳摻雜硅納米線的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、電子與光學性質(zhì)進行了研究.結(jié)果表明:Ni容易占據(jù)硅納米線表面的替代位置.鎳摻雜后的硅納米線引入了雜質(zhì)能級,雜質(zhì)能級主要來源于Ni的3d電子的貢獻.由于Ni的3d態(tài)和Si的3p態(tài)的耦合作用,使禁帶寬度變窄.摻雜后的硅納米線在低能區(qū)出現(xiàn)了一個較強的吸收峰,且吸收帶出現(xiàn)寬化現(xiàn)象.
