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鋁摻雜石英粉對多晶硅晶體生長的影響

編號:NMJS08214

篇名:鋁摻雜石英粉對多晶硅晶體生長的影響

作者:權(quán)祥 徐云慧 焦富強 鄧敏 朱常任

關(guān)鍵詞: 高效多晶硅 形核物 位錯

機構(gòu): 常州大學(xué) 徐州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院材料工程學(xué)院 沛縣拓源光伏發(fā)電有限公司

摘要: 多晶硅定向凝固鑄錠技術(shù)生產(chǎn)的硅片是太陽能電池企業(yè)主要的原料之一,在多晶硅生長過程中,坩堝底部由于通過氣冷降溫,所以多晶硅從底部開始結(jié)晶。最靠近坩堝底部位置的多晶硅初期形核的質(zhì)量將決定整個多晶硅晶體的質(zhì)量。目前很多科研院所和多晶硅片生產(chǎn)企業(yè)將多晶硅形核作為研究的重點。從多晶硅形核物質(zhì)的種類不同可以將形核物質(zhì)分為以下幾種類別:Si、SiO2、Si3N4等,其中SiO2形核由于熱膨脹系數(shù)與硅相近,而且在誘導(dǎo)多晶硅形核過程中不易熔化,目前是大多數(shù)科研院所的研究重點。在SiO2形核物中加入微量的Al粉,將SiO2形核物用噴涂的方式沉積在鑄錠坩堝底部,通過傳統(tǒng)的鑄錠工藝進(jìn)行多晶硅晶體生長。實驗數(shù)據(jù)表明,SiO2形核物質(zhì)中添加0.05%的Al粉,初期TC1生長溫度設(shè)置為1520℃時,可以獲得低位錯密度的多晶硅晶體。制備成的太陽能電池的效率19%比傳統(tǒng)未添加Al粉的SiO2形核物所生產(chǎn)的太陽能電池片高0.3%。

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