編號：FTJS09069
篇名：易解理氧化鎵晶片的半固結(jié)研磨工藝
作者：蔣網(wǎng) 周海 計健 任相璞 朱子巖
關(guān)鍵詞： 氧化鎵 半固結(jié)研磨 研磨加工 單因素試驗 正交試驗
機構(gòu)： 鹽城工學(xué)院機械工程學(xué)院
摘要： 目的 為了探究在半固結(jié)研磨工藝下的工藝參數(shù)對單晶氧化鎵(100)晶面材料去除率和表面形貌的影響。方法通過單因素試驗研究研磨墊上磨料的粒度、研磨壓力和研磨盤轉(zhuǎn)速等工藝參數(shù)對氧化鎵晶片材料去除率和表面粗糙度的影響規(guī)律,并采用正交試驗對工藝參數(shù)進行優(yōu)化。結(jié)果實驗結(jié)果表明,隨著研磨墊上磨料粒度的增大,材料的去除率也逐漸增大,表面粗糙度也逐漸增大;隨著研磨壓力的增大,材料去除率逐漸增大,表面粗糙度增大的趨勢逐漸減緩;隨著研磨盤轉(zhuǎn)速的增大,材料去除率逐漸增大,表面粗糙度變化不大。最后通過正交試驗優(yōu)化了工藝參數(shù),得到優(yōu)化后的最佳工藝組合,研磨墊上磨料的粒度為3μm,研磨壓力為2940 Pa,研磨盤轉(zhuǎn)速為60 r/min,研磨后氧化鎵表面粗糙度為26 nm,材料去除率為3.786 nm/min。結(jié)論半固結(jié)研磨工藝可以抑制解理現(xiàn)象,并且通過選擇合適的半固結(jié)研磨工藝參數(shù)能夠穩(wěn)定有效地降低表面粗糙度,獲得較好的氧化鎵表面,并為后續(xù)的精密拋光工藝提供了技術(shù)依據(jù)。
