編號：FTJS09244
篇名：臭氧氧化退火工藝對多晶硅太陽電池的性能影響研究
作者：陳文浩 周升星 劉仁中 劉偉慶 肖文波 張斌
關(guān)鍵詞： 多晶硅 熱氧化 磷擴散 硅太陽電池
機構(gòu)： 南昌航空大學測試與光電工程學院 海潤光伏科技股份有限公司
摘要： 在硅表面沉積制備致密的氧化硅薄膜可獲得極佳的表面鈍化質(zhì)量,然而氧化硅薄膜的常規(guī)制備方法常需要較長的工藝時間和較高的工藝成本,限制了其在太陽電池上的應(yīng)用。本文擬采用臭氧氧化配合較短時間的熱退火工藝對多晶硅太陽電池進行處理,實現(xiàn)多晶硅片表面的氧化硅薄膜制備,通過此過程改善多晶硅太陽電池的電學性能。使用該工藝方法在多晶硅片表面生成薄層氧化硅,并借助等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)沉積的疊層氮化硅可顯著提升多晶硅太陽電池正表面的鈍化質(zhì)量。實驗對比發(fā)現(xiàn),隨著退火時間的延長,多晶硅片少子壽命的上升幅度增大,電池的電學性能隨之提升。實驗確定了最適宜的退火處理工藝,通過該臭氧氧化退火工藝,可獲得超0.5%的多晶硅太陽電池效率絕對值增益。
