編號：CYYJ03026
篇名：氮化鎵光陰極薄膜材料表面光電壓譜特性
作者：高劍森 劉健
關(guān)鍵詞： 氮化鎵 光陰極 表面光電壓譜
機(jī)構(gòu)： 宿遷學(xué)院信息工程學(xué)院 南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院
摘要： 在藍(lán)寶石基底上外延生長了多層結(jié)構(gòu)氮化鎵光陰極薄膜材料并進(jìn)行表面光電壓測試;對比分析了摻雜類型、厚度和摻雜方式對氮化鎵材料表面光電壓的影響,確定了多層結(jié)構(gòu)氮化鎵材料表面光電壓產(chǎn)生機(jī)理;借助亞帶隙激光輔助,針對均勻摻雜和δ-摻雜氮化鎵(GaN)光電陰極薄膜材料進(jìn)行了表面光電壓測試;實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,相較于均勻摻雜,δ-摻雜可以獲得更好生長質(zhì)量,但也提高了在能級(Ev+0.65)eV~(Ev+1.07)eV范圍的缺陷態(tài)密度。
