編號(hào)：CYYJ03034
篇名：超薄氧化硅與氮化鈦復(fù)合層對(duì)光生電子導(dǎo)出的作用
作者：蘭自軒 王藝琳 趙磊 馬忠權(quán)
關(guān)鍵詞： 太陽(yáng)能電池 鈍化層 復(fù)合速率 異質(zhì)結(jié) 空穴阻擋 超薄氧化硅/氮化鈦
機(jī)構(gòu)： 上海大學(xué)物理系上海大學(xué)-索朗光伏材料與器件R&D聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
摘要： 采用濕法化學(xué)氧化和直流磁控濺射制備了超薄氧化硅(a-SiO)和高電子濃度的氮化鈦(TiN)復(fù)合薄膜,研究其對(duì)半導(dǎo)體-準(zhǔn)絕緣體-半導(dǎo)體(SQIS)光伏器件中晶硅表面的鈍化作用。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:相對(duì)于鋁背場(chǎng)電極,該光伏器件的光電轉(zhuǎn)換效率相對(duì)提高了20.72%。結(jié)合少子壽命測(cè)量和AFORS-HET模擬軟件分析,揭示了開路電壓增加的原因。aSiO/TiN與n-Si有2.28 eV的價(jià)帶偏移,可以減緩空穴在背部界面的復(fù)合,使復(fù)合速率降為原先的1/10,從而有效增加開路電壓,達(dá)到提高異質(zhì)結(jié)器件光電轉(zhuǎn)換效率的目的,為SQIS光伏器件提供了一種工藝簡(jiǎn)單、制備成本低的背部鈍化接觸復(fù)合材料。
