編號(hào)：NMJS08532
篇名：In2S3/g-C3N4光催化復(fù)合材料的制備與研究
作者：趙子龍 賀世潔 董國(guó)峰 談志鵬 馬元良
關(guān)鍵詞： g-C3N4納米片 In2S3/g-C3N4復(fù)合材料 水熱法 熱縮聚合法 降解效率
機(jī)構(gòu)： 青海民族大學(xué)物理與電子信息工程學(xué)院
摘要： 為解決早期合成出來的g-C3N4材料光生電子空穴對(duì)復(fù)合速率高、比表面積小和禁帶寬度高等問題,該文采用熱縮聚合法和取氧刻蝕法制備g-C3N4納米片,以g-C3N4納米片作為基底,通過水熱法制備不同含量In2S3/g-C3N4復(fù)合材料。采用掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)和紫外可見漫反射(UV-vis)等進(jìn)行形貌、組成以及光催化性能表征。并將羅丹明B作為目標(biāo)污染物研究g-C3N4及不同含量In2S3/g-C3N4復(fù)合材料的降解性能。試驗(yàn)結(jié)果表明,純g-C3N4納米片對(duì)羅丹明B的降解性能明顯低于具有5%~7%含量的In2S3/g-C3N4復(fù)合材料。最終通過反復(fù)試驗(yàn)的得出,7%In2S3/g-C3N4復(fù)合材料的光降解性能最佳,其催化活性也有一定提高。
