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化學氣相沉積法制備二維過渡金屬硫族化合物研究進展

編號:NMJS08676

篇名:化學氣相沉積法制備二維過渡金屬硫族化合物研究進展

作者:王棟 魏子健 張倩 夏月慶 張秀麗 王天漢 袁志華 蘭明明

關鍵詞: 過渡金屬硫族化合物 化學氣相沉積 鹽輔助化學氣相沉積 金屬有機化學氣相沉積 二維材料 前驅體 影響因素

機構: 河南農(nóng)業(yè)大學機電工程學院

摘要: 二維過渡金屬硫族化合物(TMDs)是繼石墨烯之后的新型二維材料,由于其自身的獨特物理化學性質在半導體、光電材料、能源儲存和催化制氫等方面?zhèn)涫懿毮;瘜W氣相沉積(CVD)是目前適合實現(xiàn)大規(guī)模制備二維材料的工藝之一,制備過程中參數(shù)的高度可控性使其具有很大優(yōu)勢。本文綜述了近期通過CVD制備TMDs的研究進展,探討了在CVD制備工藝中各種參數(shù)對產(chǎn)物生長和最終形貌的影響,包括前驅體、溫度、襯底、輔助劑、壓力和載氣流量等。列舉了一些改進的CVD制備工藝,并對其特點進行了總結。最后討論了目前CVD制備TMDs所面臨的挑戰(zhàn)并對其發(fā)展前景進行展望。

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