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硅基鉭酸鋰壓電單晶復合薄膜材料及應用

編號:CYYJ03416

篇名:硅基鉭酸鋰壓電單晶復合薄膜材料及應用

作者:丁雨憧 何杰 陳哲明 龍勇 毛世平 馬晉毅

關(guān)鍵詞: 絕緣體上單晶鉭酸鋰薄膜(LTOI) POI基板 聲表面波 智能剝離技術(shù) 晶體離子注入剝離(CIS) 晶圓鍵合

機構(gòu): 中國電子科技集團公司第二十六研究所

摘要: 絕緣體上壓電基板(POI)是一種新興的壓電單晶復合薄膜結(jié)構(gòu)材料。POI基板由壓電單晶材料薄層(單晶鉭酸鋰/鈮酸鋰)、二氧化硅層及高阻硅襯底構(gòu)成,采用Smart-Cut工藝制備,可保證板層高均勻度及高質(zhì)量的批量生產(chǎn)。通過這種基板可設(shè)計滿足5G通信要求的高性能集成聲表面波(SAW)諧振器和濾波器;赑OI材料制備的SAW器件具有高頻、高品質(zhì)因數(shù)(Q)值、低溫度敏感性及較大帶寬等優(yōu)良特性,同時還能在同一芯片上集成多個SAW濾波器,具有廣闊的市場應用前景。該文介紹了POI基板的制備、國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀及POI基板在高性能SAW濾波器中的應用,綜述了制備POI基板的關(guān)鍵技術(shù)并展望了未來的發(fā)展趨勢。

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