編號：NMJS08720
篇名：MOCVD同質(zhì)外延生長的單晶β-Ga2O3薄膜研究
作者：陳陳 韓照 周選擇 趙曉龍 孫海定 徐光偉 龍世兵
關(guān)鍵詞： Ga2O3 MOCVD 同質(zhì)外延 生長溫度 生長壓強
機構(gòu)： 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院
摘要： 采用金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù),在(010)Fe摻Ga2O3半絕緣襯底上進行同質(zhì)外延生長Ga2O3薄膜,系統(tǒng)性地研究了生長溫度(880℃/830℃/780℃/730℃)和生長壓強(80/60/40/20 Torr)對外延薄膜表面形貌、晶體質(zhì)量以及電學(xué)特性等的影響。結(jié)果表明隨著生長溫度和壓強的增加:薄膜生長速率分別呈現(xiàn)出略微增加和大幅下降的趨勢;薄膜表面階梯束(step bunching)的生長方式逐漸增強,并且呈現(xiàn)出沿著[001]晶向生長的柱狀晶粒;高分辨X射線衍射(XRD)掃描顯示薄膜均只在(020)面存在衍射峰,表明生長的薄膜為純β相單晶薄膜,且半高寬可達到45.7 arcsec;霍爾測試表明780℃和60 Torr的生長條件下薄膜的室溫電子遷移率最高。本文為基于MOCVD的Ga2O3同質(zhì)外延生長提供了系統(tǒng)的參數(shù)指導(dǎo),為高質(zhì)量Ga2O3薄膜的制備奠定了基礎(chǔ)。
