編號(hào)：FTJS09850
篇名：金屬調(diào)制分子束外延生長(zhǎng)氮化鋁薄膜
作者：劉歡 邵鵬飛 陳松林 周輝 李思琦 陶濤 謝自力 劉斌 陳敦軍 鄭有炓 張榮 王科
關(guān)鍵詞： 金屬調(diào)制 分子束外延 外延生長(zhǎng) 氮化鋁 粗糙度
機(jī)構(gòu)： 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 本文利用等離子體輔助分子束外延(PA-MBE)系統(tǒng),對(duì)常規(guī)連續(xù)外延生長(zhǎng)和金屬調(diào)制外延(MME)生長(zhǎng)AlN薄膜進(jìn)行研究。研究發(fā)現(xiàn):常規(guī)連續(xù)外延方法生長(zhǎng)模式不易控制,容易出現(xiàn)過(guò)度富Al和富N模式生長(zhǎng),而且微富Al模式生長(zhǎng)還會(huì)出現(xiàn)一些凹坑,表面形貌較粗糙;然而利用MME方法生長(zhǎng)AlN薄膜,通過(guò)精準(zhǔn)調(diào)控Al源和N源快門(mén)打開(kāi)、關(guān)閉時(shí)間,可以獲得形貌較好的AlN薄膜。通過(guò)調(diào)整優(yōu)化獲得的MME方案為:首先Al源快門(mén)打開(kāi)30 s,然后Al源和N源快門(mén)打開(kāi)60 s,最后單獨(dú)打開(kāi)N源快門(mén)72 s;單一周期內(nèi),Al源快門(mén)打開(kāi)時(shí)間與N源快門(mén)打開(kāi)時(shí)間比例為0.7。以上述方案為一個(gè)周期進(jìn)行循環(huán)生長(zhǎng)40個(gè)周期,可獲得粗糙度低至0.3 nm(2μm×2μm),幾乎無(wú)凹坑的AlN薄膜。
