編號：CYYJ03537
篇名：硫摻雜銻化鎵的電子結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)
作者：康超
關(guān)鍵詞： 第一性原理 GASB 摻雜 電子結(jié)構(gòu)
機構(gòu)： 江西科技師范大學(xué)
摘要： 銻化鎵(GaSb)因其具有高電子遷移率和低功耗等特點受到關(guān)注,但由于該材料存在大量的受主缺陷使其在應(yīng)用上受到一定限制。因此,研究GaSb中的缺陷物理以改善材料性能顯得尤為重要。運用基于密度泛函理論框架下的第一性原理計算方法,研究了含本征缺陷GaSb及S摻雜GaSb(001)表面的電子結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性。計算結(jié)果表明,GaSb缺陷是GaSb中主要的受主缺陷,S原子傾向于分布在近表面區(qū)域,隨著S摻雜濃度增加,材料的導(dǎo)電屬性發(fā)生明顯的改變。研究結(jié)果有助于理解S摻雜對GaSb電導(dǎo)率的影響,并為GaSb基半導(dǎo)體的設(shè)計提供理論指導(dǎo)。
