編號(hào)：CYYJ03585
篇名：GaN晶片電化學(xué)腐蝕表面摩擦磨損特性
作者：嚴(yán)杰文 閻秋生 潘繼生
關(guān)鍵詞： GaN晶片 電化學(xué) 腐蝕 摩擦磨損 摩擦因數(shù) 微觀(guān)形貌
機(jī)構(gòu)： 廣東工業(yè)大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院 廣州計(jì)量檢測(cè)技術(shù)研究院
摘要： GaN晶片是化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的半導(dǎo)體材料，電化學(xué)作用可以有效地腐蝕GaN晶片表面，通過(guò)選擇不同的電化學(xué)腐蝕電解質(zhì)溶液和不同的腐蝕電位，可以調(diào)控晶片表面的電化學(xué)腐蝕效果。為了更好地理解電化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)GaN晶片表面的材料去除機(jī)理，研究了電化學(xué)腐蝕的GaN晶片表面的磨損特性。將4英寸GaN晶片激光切割成10 mm×10 mm的正方形尺寸利用平面磨床將Ga晶片表面均勻研磨至相同的表面粗糙度，然后將研磨后的GaN晶片在不同的電化學(xué)腐蝕條件下進(jìn)行電化學(xué)腐蝕。腐蝕實(shí)驗(yàn)中，電解液（NaOHNa2S2O8H3PO4）選取腐蝕電位(10 V20 V30 V)進(jìn)行GaN表面的電化學(xué)腐蝕.
