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硼摻雜SiO2納米顆粒的制備及其紅外輻射性能

編號:NMJS08849

篇名:硼摻雜SiO2納米顆粒的制備及其紅外輻射性能

作者:張星星 高相東 董余兵 段燈

關(guān)鍵詞: SiO2納米顆粒 硼摻雜 St9ber法 大氣窗口 紅外輻射

機構(gòu): 浙江理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所蘇州研究院

摘要: 為提高二氧化硅(SiO2)納米顆粒在大氣窗口波段的紅外輻射性能,以正硅酸乙酯為硅源、硼酸為摻雜源,采用改進St9ber法制備了硼摻雜SiO2納米顆粒,并分析硅源加入方式、硼摩爾摻量、燒結(jié)溫度等對SiO2納米顆粒的結(jié)晶性能、化學(xué)成分、微觀結(jié)構(gòu)和紅外發(fā)射率的影響。結(jié)果表明:硅源加入方式顯著影響納米顆粒的尺寸和形貌,連續(xù)滴加法制備的純SiO2和硼摻雜SiO2納米顆粒粒徑更大且形狀更規(guī)則;硼摻雜可誘發(fā)SiO2在高溫下生成石英晶體相,形成B—O-Si鍵,并導(dǎo)致SiO2納米顆粒的尺寸、平均孔徑、比表面積增大;硼摻雜可顯著提高SiO2納米顆粒的紅外輻射性能,硼摩爾摻量為0.40且經(jīng)過550℃燒結(jié)的樣品在8~13μm波段的平均發(fā)射率高達0.982。硼摻雜SiO2納米顆粒具有耐高溫和高紅外輻射特性,在耐高溫節(jié)能涂層、輻射制冷等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。

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