編號：FTJS10097
篇名：石墨烯/硅異質(zhì)結(jié)光電探測器的制備工藝與其伏安特性的關(guān)系
作者：楊亞賢 張國青
關(guān)鍵詞： 石墨烯 異質(zhì)結(jié) 制備工藝 伏安特性 烘干 刻蝕 退火
機(jī)構(gòu)： 西安工程大學(xué)理學(xué)院
摘要： 通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種制備異質(zhì)結(jié)光電探測器的常見方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中,不同的制備工藝細(xì)節(jié)對二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。本文以典型的二維材料石墨烯(Gr)為例,采用濕法轉(zhuǎn)移制備了一系列相同的Gr/Si異質(zhì)結(jié)光電探測器,對其制備工藝與伏安特性的關(guān)系進(jìn)行了詳細(xì)研究。實驗結(jié)果顯示,梯度式烘干工藝可以顯著降低Gr/Si異質(zhì)結(jié)器件的暗電流,最佳的烘干溫度峰值為170°C,170°C以上漏電流基本不再有變化。Gr/Si范德華異質(zhì)結(jié)表面雜質(zhì)與夾層中的殘留水分對異質(zhì)結(jié)的漏電流有顯著影響。Gr/Si范德華異質(zhì)結(jié)的選擇性刻蝕和退火工藝也能夠大幅降低漏電流。因此,合適的烘干工藝、選擇性刻蝕工藝、退火工藝在Gr/Si異質(zhì)結(jié)器件的制備過程中非常必要。這些結(jié)果對于使用濕法轉(zhuǎn)移方法制備二維材料異質(zhì)結(jié)器件具有一定的參考價值。
