編號(hào)：CYYJ03796
篇名：化學(xué)氣相滲透碳化硅增強(qiáng)石墨泡沫的溫度效應(yīng)研究
作者：趙俊通 連鵬飛 程金星 宋金亮 張俊鵬 趙俊一
關(guān)鍵詞： 石墨泡沫 碳化硅 化學(xué)氣相滲透 沉積溫度 抗彎強(qiáng)度
機(jī)構(gòu)： 五星新材科技有限公司 中國(guó)科學(xué)院山西煤炭化學(xué)研究所 北京高技術(shù)研究院 中國(guó)科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
摘要： 通過(guò)化學(xué)氣相滲透技術(shù),在中間相瀝青基石墨泡沫內(nèi)部沉積了碳化硅涂層;研究了不同沉積溫度對(duì)碳化硅形貌、晶體結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明,1223 K可以制備完整的碳化硅涂層,沉積速率較慢,晶粒尺寸較小;溫度超過(guò)1423 K,易在石墨表面沉積生成熱解炭,比強(qiáng)度開始下降。低溫沉積時(shí),臨界形核自由能下降,形成的核芯數(shù)目增加,有利于形成晶粒細(xì)小而連續(xù)的SiC涂層組織,1273 K和1373 K溫度條件下沉積的SiC涂層較光滑平整,比強(qiáng)度較高。隨著沉積溫度提高,抗彎強(qiáng)度由1223 K的1.8 MPa提高到1473 K的5.4 MPa,比強(qiáng)度由1273 K的3.40 MPa·cm3/g提高到1373 K溫度下的7.31 MPa·cm3/g。沉積溫度超過(guò)1423 K時(shí),沉積的SiC晶粒粒徑增加,熱解炭比例升高,無(wú)定形碳比例增加,比強(qiáng)度有所下降。
