編號：CYYJ03798
篇名：高遷移率二維半導(dǎo)體Bi2O2Se的化學(xué)氣相沉積生長:可控生長及材料質(zhì)量
作者：于夢詩 譚聰偉 高嘯寅 唐浚川 彭海琳
關(guān)鍵詞： Bi2O2Se 化學(xué)氣相沉積 成核模式 維度 陣列 電學(xué)質(zhì)量
機(jī)構(gòu)： 北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院
摘要： 二維（2D）半導(dǎo)體提供的原子厚度有利于優(yōu)異的柵極場穿透，并使晶體管能夠在抑制短溝道效應(yīng)的情況下保持縮小，從而被認(rèn)為是后摩爾時代未來晶體管的溝道材料。在高遷移率二維半導(dǎo)體中，具有適中帶隙的空氣穩(wěn)定Bi2O2Se引起了人們的廣泛關(guān)注。與其他二維材料不同，Bi2O2Se可以逐層氧化形成高k本征氧化物電介質(zhì)Bi2SeO5，具有原子級尖銳的界面，類似于半導(dǎo)體工業(yè)中的Si/SiO2。這些特性使Bi2O2Se成為制造各種性能優(yōu)異的器件的理想材料平臺，如晶體管、熱電器件、光電器件、傳感器、柔性器件和存儲器件，以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的應(yīng)用二維 Bi2O2Se 的制備，有必要開發(fā)可規(guī)模化、高質(zhì)量且成本相對較低的制備方法。
